RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Gesamtnote
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gesamtnote
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
38
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
7.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2099
2154
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link