RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
40
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2209
2283
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link