RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
59
Rund um 47% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
59
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
7.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
1954
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link