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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
25
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
21
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3130
3023
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
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SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
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