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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
52
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17500
17000
Rund um 1.03 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.1
10.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
8.2
Speicherbandbreite, mbps
17000
17500
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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