RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
73
Rund um 62% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
1822
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Team Group Inc. 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link