RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
29
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.2
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
17.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
4039
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link