RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
36
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2569
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link