Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Gesamtnote
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Gesamtnote
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    35 left arrow 50
    Rund um 30% geringere Latenzzeit
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.3 left arrow 15.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.9 left arrow 9.6
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    35 left arrow 50
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.1 left arrow 15.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 10.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2502 left arrow 2512
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RAM 1
RAM 2

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