RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
37
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
12.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2938
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link