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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
22.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
64
Rund um -146% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
22.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
17.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
3962
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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