RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
46
Rund um -156% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.3
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
21.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
15.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3778
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link