Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB

Gesamtnote
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Gesamtnote
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB

Unterschiede

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 4
    Durchschnittswert bei den Tests
SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    64 left arrow 65
    Rund um -2% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,793.8 left arrow 2,784.6
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    65 left arrow 64
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,806.8 left arrow 4,498.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,784.6 left arrow 2,793.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    932 left arrow 786
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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