RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
77
Rund um -108% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
9.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2277
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link