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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
36
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
13.1
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
2989
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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