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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
49
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
12.4
Speicherbandbreite, mbps
17000
no data
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
, 1.20000005, CAS Supported:
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2427
3043
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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