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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
51
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
51
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
11.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
2000
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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