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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
68
76
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,702.6
1,482.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
68
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,886.6
3,336.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,702.6
1,482.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
5300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
654
497
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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