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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
54
Rund um 30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
23400
Rund um 1.09% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
23400
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2259
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