RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
47
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
2918
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link