RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
48
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.2
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
6.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2078
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link