RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
47
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
11.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
2445
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link