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SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
86
Rund um -146% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
86
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.3
11.2
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1469
2336
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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