RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
37
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.2
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
17.1
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2438
3856
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link