RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
41
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
13.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
2944
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link