RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
44
Rund um -120% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14,740.4
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
13.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2811
3287
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre 0000 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link