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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gesamtnote
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
21.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,303.7
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
117
Rund um -216% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
117
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,094.8
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,303.7
14.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
784
3448
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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