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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
20.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
46
Rund um -156% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.6
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
20.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
16.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
3601
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO 5641160 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
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