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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
87
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.9
3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
6.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
6.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
1499
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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