RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
87
Rund um -172% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
12.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2641
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link