RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
46
En -92% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3562
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link