RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En -59% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3765
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link