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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Puntuación global
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
39
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.6
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2355
3519
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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