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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Puntuación global
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
7.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
38
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2099
2154
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G73BH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
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