RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Compara
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
2969
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
UMAX Technology 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link