RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
44
En 27% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
32
44
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
12.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1919
2022
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link