Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Puntuación global
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Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB

Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    23 left arrow 45
    En -96% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    18.2 left arrow 10.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    15.1 left arrow 6.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 10600
    En 2.01 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    45 left arrow 23
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.1 left arrow 18.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    6.8 left arrow 15.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1537 left arrow 3498
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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