RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
68
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
68
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
1812
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link