RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
34
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2588
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link