Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Puntuación global
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Puntuación global
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    32 left arrow 51
    En -59% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    20.6 left arrow 15.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    14.7 left arrow 11.8
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    51 left arrow 32
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.6 left arrow 20.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    11.8 left arrow 14.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2687 left arrow 3393
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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