RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
42
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
3454
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link