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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
42
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
38
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
2298
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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