RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
71
En -122% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
32
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2399
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link