RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
28
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
3669
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link