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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
54
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3106
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
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