RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
104
En -300% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2890
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link