RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
73
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2720
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link