RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
69
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
3242
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link