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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
45
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
2892
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
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