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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
48
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.4
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
37
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
3448
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KYXC0V-MID 16GB
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